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BD534KJ69Z PDF预览

BD534KJ69Z

更新时间： 2024-11-09 14:33:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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BD534KJ69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：12 MHz
Base Number Matches：1

BD534KJ69Z 数据手册

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BD534/536/538  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
•
Low Saturation Voltage  
Complement to BD533, BD535 and BD537 respectively  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: BD534  
: BD536  
: BD538  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CBO  
V
V
: BD534  
: BD536  
: BD538  
- 45  
- 60  
- 80  
V
V
V
CEO  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Base Current  
- 5  
- 8  
V
A
I
I
C
- 1  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
50  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
I
Collector Cut-off Current  
: BD534  
: BD536  
: BD538  
V
V
V
= - 45V, I = 0  
- 100  
- 100  
- 100  
µA  
µA  
µA  
CBO  
CES  
EBO  
CB  
CB  
CB  
E
= - 60V, I = 0  
E
= - 80V, I = 0  
E
I
I
Collector Cut-off Current  
: BD534  
: BD536  
: BD538  
V
V
V
= - 45V, V = 0  
- 100  
- 100  
- 100  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
BE  
= - 60V, V = 0  
BE  
= - 80V, V = 0  
BE  
Emitter Cut-off Current  
V
= - 5V, I = 0  
- 1  
mA  
EB  
C
h
* DC Current Gain  
: ALL DEVICE  
: BD534/536  
: BD538  
: BD534/536  
: BD538  
V
V
= -2 V, I = - 500mA  
40  
20  
15  
25  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= - 5V, I = - 10mA  
C
V
= - 2V, I = - 2A  
CE C  
h
h
Groups  
J
FE  
FE  
: ALL DEVICE  
: ALL DEVICE  
V
V
V
V
= - 2V, I = - 2A  
30  
15  
40  
20  
75  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 3A  
C
K
= -2V, I = - 2A  
100  
C
= - 2V, I = - 3A  
C
V
V
(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= - 2A, I = - 0.2A  
- 0.8  
- 1.5  
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= - 6A, I = - 0.6A  
- 0.8  
12  
B
(on)  
* Base-Emitter ON Voltage  
V
V
= - 2V, I = - 2A  
V
CE  
CE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
= - 1V, I = - 500mA  
3
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW =300µs, duty Cycle =1.5% Pulsed  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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