5秒后页面跳转
BD517 PDF预览

BD517

更新时间: 2024-02-13 15:24:14
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS

BD517 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):2 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):60
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):160 MHz

BD517 数据手册

 浏览型号BD517的Datasheet PDF文件第2页 

与BD517相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD518 FREESCALE

获取价格

PNP ILICON ANNULAR AMPLIFIER TRANSISTORS
BD519 MOTOROLA

获取价格

NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS
BD520 FREESCALE

获取价格

PNP ILICON ANNULAR AMPLIFIER TRANSISTORS
BD52001G-E2 ROHM

获取价格

Omnipolar Detection Hall ICs
BD52001G-TR ROHM

获取价格

Omnipolar Detection Hall ICs
BD52001GUL-E2 ROHM

获取价格

Omnipolar Detection Hall ICs
BD52001GUL-TR ROHM

获取价格

Omnipolar Detection Hall ICs
BD52001HFV-E2 ROHM

获取价格

Omnipolar Detection Hall ICs
BD52001HFV-TR ROHM

获取价格

Omnipolar Detection Hall ICs
BD52001NVX-E2 ROHM

获取价格

Omnipolar Detection Hall ICs