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BD519

更新时间: 2024-02-25 08:21:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
NPN SILICON AMPLIFIER TRANSISTORS

BD519 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):2 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):60
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):160 MHz
Base Number Matches:1

BD519 数据手册

 浏览型号BD519的Datasheet PDF文件第2页 

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