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BD37710

更新时间： 2024-01-23 15:24:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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BD37710 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：63JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：140 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD37710 数据手册

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BD375/377/379  
Medium Power Linear and Switching  
Applications  
•
Complement to BD376, BD378 and BD380 respectively  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
50  
75  
100  
V
V
V
CBO  
Collector-Emitter Voltage : BD375  
45  
60  
80  
V
V
V
CEO  
EBO  
: BD377  
: BD379  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
2
C
I
I
3
A
CP  
B
1
25  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
T
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
* Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
I
I
= 100mA, I = 0  
45  
60  
80  
V
V
V
C
C
B
BV  
Collector-Base  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
= 100µA, I = 0  
50  
75  
100  
V
V
V
CBO  
E
Breakdown Voltage  
I
I
Collector Cut-off Current  
: BD375  
: BD377  
: BD379  
V
V
V
= 45V, I = 0  
2
2
2
µA  
µA  
µA  
CBO  
CB  
CB  
CB  
E
= 60V, I = 0  
E
= 80V, I = 0  
E
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
100  
375  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
V
V
= 2V, I = 0.15A  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 1A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter ON Voltage  
Turn ON Time  
I
= 1A, I = 0.1A  
1
V
V
CE  
C
B
(on)  
V
V
I
= 2V, I = 1A  
1.5  
BE  
CE  
C
t
t
= 30V, I = 0.5A  
50  
ns  
ns  
ON  
OFF  
CC  
C
= - I = 0.05A  
Turn OFF Time  
B1  
B2  
500  
R = 60Ω  
L
* Pulse Test: PW=350µs, duty Cycle=2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
6
10  
63 ~ 160  
16  
100 ~ 250  
25  
h
40 ~ 100  
150 ~ 375  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BD377-10 FAIRCHILD 2 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

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