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BD243A

更新时间： 2024-02-24 15:23:54

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POINN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	89K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD243A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD243A 数据手册

BD243, BD243A, BD243B, BD243C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997

MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS

MAXIMUM FORWARD-BIAS

SAFE OPERATING AREA

SAS633AD

100

t_p= 300 µs, d = 0.1 = 10%

t_p= 1 ms, d = 0.1 = 10%

t_p= 10 ms, d = 0.1 = 10%

DC Operation

1·0

0·1

0·01

BD243

BD243A

BD243B

BD243C

1·0

100

1000

V_CE- Collector-Emitter Voltage - V

Figure 4.

THERMAL INFORMATION

MAXIMUM POWER DISSIPATION

CASE TEMPERATURE

TIS633AB

100

125

150

T_C- Case Temperature - °C

Figure 5.

P R O D U C T

I N F O R M A T I O N

1 2 345 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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