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BD243A

更新时间： 2024-02-21 13:44:51
品牌 Logo 应用领域
POINN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 89K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD243A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：65 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD243A 数据手册

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BD243, BD243A, BD243B, BD243C  
NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997  
electrical characteristics at 25°C case temperature  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BD243  
45  
60  
Collector-emitter  
BD243A  
BD243B  
BD243C  
BD243  
V(BR)CEO  
IC  
=
30 mA  
IB = 0  
V
breakdown voltage  
80  
(see Note 5)  
100  
VCE  
VCE  
VCE  
=
=
=
55 V  
70 V  
90 V  
V
BE = 0  
0.4  
0.4  
0.4  
0.4  
0.7  
0.7  
Collector-emitter  
cut-off current  
VBE = 0  
VBE = 0  
VBE = 0  
BD243A  
BD243B  
BD243C  
BD243/243A  
BD243B/243C  
ICES  
mA  
VCE = 115 V  
Collector cut-off  
current  
VCE  
VCE  
=
=
30 V  
60 V  
IB = 0  
ICEO  
IEBO  
hFE  
mA  
mA  
IB = 0  
Emitter cut-off  
current  
VEB  
=
5 V  
IC = 0  
1
Forward current  
transfer ratio  
VCE  
VCE  
=
=
4 V  
4 V  
I
C = 0.3 A  
30  
15  
(see Notes 5 and 6)  
(see Notes 5 and 6)  
(see Notes 5 and 6)  
f = 1 kHz  
IC  
=
3 A  
Collector-emitter  
saturation voltage  
Base-emitter  
VCE(sat)  
VBE  
IB  
=
1 A  
4 V  
IC  
=
6 A  
1.5  
2
V
V
VCE  
VCE  
VCE  
=
=
=
IC  
=
6 A  
voltage  
Small signal forward  
current transfer ratio  
Small signal forward  
current transfer ratio  
hfe  
10 V  
10 V  
IC = 0.5 A  
IC = 0.5 A  
20  
3
|hfe|  
f = 1 MHz  
NOTES: 5. These parameters must be measured using pulse techniques, tp = 300 µs, duty cycle £ 2%.  
6. These parameters must be measured using voltage-sensing contacts, separate from the current carrying contacts.  
thermal characteristics  
PARAMETER  
Junction to case thermal resistance  
Junction to free air thermal resistance  
MIN  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
RqJC  
RqJA  
1.92  
62.5  
°C/W  
°C/W  
resistive-load-switching characteristics at 25°C case temperature  
†
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
B(on) = 0.1 A  
RL = 20 W  
TYP  
MAX  
UNIT  
ton  
toff  
Turn-on time  
Turn-off time  
IC = 1 A  
I
IB(off) = -0.1 A  
0.3  
1
µs  
µs  
VBE(off) = -3.7 V  
tp = 20 µs, dc £ 2%  
†
Voltage and current values shown are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
2
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BD243A16 MOTOROLA Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

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BD243A16A MOTOROLA Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

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