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BD175-10

更新时间： 2024-01-05 00:06:49

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Transistor

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BD175-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	63
JESD-609代码：	e0	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD175-10 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD175 BD177 BD179

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type BD176/178 /180

APPLICATIONS

·For medium power linear and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD175

BD177

BD179

BD175

BD177

BD179

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

Open base

V_CEO

Collector-emitter voltage

V_EBO

I_C

Emitter -base voltage

Collector current (DC)

Collector current-Peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Open collector

I_CM

P_C

T_j

T_C=25℃

℃

150

-65~150

T_stg

12 3

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