BD136G

更新时间： 2024-01-25 21:43:39

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描述
Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

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BD136G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SIP
包装说明：	TO-126, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.1
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

BD136G 数据手册

BD136, BD138, BD140

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25_C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Type

Min

Max

Unit

Collector−Emitter Sustaining Voltage*

(I = 0.03 Adc, I = 0)

Vdc

CEO

BD 136

BD 138

BD 140

−

Collector Cutoff Current

(V = 30 Vdc, I = 0)

mAdc

CBO

0.1

−

(V = 30 Vdc, I = 0, T = 125 _C)

Emitter Cutoff Current

−

mAdc

EBO

(V = 5.0 Vdc, I = 0)

DC Current Gain

−

(I = 0.005 A, V = 2 V)

−

250

−

(I = 0.15 A, V = 2 V)

(I = 0.5 A, V = 2 V)

Collector−Emitter Saturation Voltage*

(I = 0.5 Adc, I = 0.05 Adc)

−

0.5

Vdc

CE(sat)

Base−Emitter On Voltage*

(I = 0.5 Adc, V = 2.0 Vdc)

−

BE(on)

*Pulse Test: Pulse Width x 300 ms, Duty Cycle x 2.0%.

5.0

2.0

1.0

0.1 ms

5 ms

0.5 ms

T = 125°C

0.5

0.2

0.1

0.05

BD136

BD138

BD140

0.02

0.01

, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 1. Active−Region Safe Operating Area

http://onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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