BCX 71
PNP
General Purpose Transistors
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
PNP
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
±0.1
Plastic case
SOT-23
1.1
2.9
0.4
Kunststoffgehäuse
(TO-236)
3
Type
Code
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
2
1
Plastic material has UL classification 94V-0
1.9
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions / Maße in mm
1 = B 2 = E 3 = C
Maximum ratings (TA = 25ꢀC)
Grenzwerte (TA = 25ꢀC)
BCX 71
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
B open
E open
C open
- VCE0
- VCB0
- VEB0
Ptot
45 V
45 V
5 V
250 mW 1)
100 mA
- IC
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM
200 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- IBM
Tj
TS
200 mA
150ꢀC
- 65…+ 150ꢀC
Characteristics (Tj = 25ꢀC)
Kennwerte (Tj = 25ꢀC)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, - VCB = 32 V
- ICB0
–
–
–
–
20 nA
20 ꢀA
IE = 0, - VCB = 32 V, Tj = 150ꢀC
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IC = 0, - VEB = 4 V
- ICB0
- IEB0
–
–
20 nA
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. 2)
- IC = 10 mA, - IB = 0.25 mA
- IC = 50 mA, - IB = 1.25 mA
- VCEsat
- VCEsat
60 mV
120 mV
–
–
250 mV
550 mV
1) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses tp = 300 ꢀs, duty cycle ꢀ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 ꢀs, Schaltverhältnis ꢀ 2%
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01.11.2003