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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BCX71HLEADFREE
BCX71HLEADFREE PDF预览

BCX71HLEADFREE

更新时间： 2024-10-28 13:00:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 324K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BCX71HLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.03其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BCX71HLEADFREE 数据手册

 浏览型号BCX71HLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
BCX71 SERIES  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
PNP SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX71 Series  
types are PNP Silicon Transistors manufactured  
by the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for general purpose  
switching and amplifier applications.  
MARKING CODES: SEE MARKING CODE TABLE  
ON FOLLOWING PAGE  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
V
V
V
45  
45  
5.0  
100  
200  
CBO  
CEO  
EBO  
C
CM  
V
I
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
I
I
200  
350  
BM  
P
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
μA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
V
MHz  
pF  
pF  
I
I
I
V
V
V
=45V  
=45V, T =150°C  
=4.0V  
20  
20  
20  
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
CB  
EB  
A
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
45  
45  
5.0  
0.06  
0.12  
0.60  
0.68  
0.60  
100  
C
I =10mA  
C
I =1.0μA  
EBO  
E
V
V
V
V
V
I =10mA, I =250μA  
0.25  
0.55  
0.85  
1.05  
0.75  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =1.25mA  
C
I =10mA, I =250μA  
C
I =50mA, I =1.25mA  
C
V
=5.0V, I =2.0mA  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
C
f
C
C
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
=5.0V, I =200μA, R =2.0kΩ,  
C S  
T
C
E
C
4.5  
11  
c
e
NF  
f=1.0kHz, BW=200Hz  
6.0  
dB  
BCX71G  
MIN MAX  
BCX71H  
MIN MAX  
30  
BCX71J  
MIN MAX  
40  
BCX71K  
MIN MAX  
100  
h
h
h
V
V
V
=5.0V, I =10μA  
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=5.0V, I =2.0mA  
120  
60  
220  
180  
80  
310  
250  
100  
460  
380  
110  
630  
C
=1.0V, I =50mA  
C
R2 (20-November 2009)  
12

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