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BCX41E6433HTMA1

更新时间： 2024-01-17 11:22:31

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
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7页	526K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 125V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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BCX41E6433HTMA1 技术参数

生命周期：	End Of Life	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	125 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BCX41E6433HTMA1 数据手册

BCX41

NPN Silicon AF and Switching Transistor

• For general AF applications

• High breakdown voltage

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary type: BCX42 (PNP)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

BCX41

Marking

EKs

Pin Configuration

Package

SOT23

1 = B

2 = E

3 = C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

125

800

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CBO

EBO

Peak collector current, t ≤ 10 ms

100

200

330

Base current

Peak base current

Total power dissipation

°C

tot

T ≤ 79 °C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

≤ 215

Unit

K/W

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-10-04

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCX41Q	DIODES	获取价格	NPN, 125V, 0.8A, SOT23
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