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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.57 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 0.25 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCW61ATRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BCW61ATRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCW61B | SAMSUNG |
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PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| BCW61B | NXP |
获取价格 |
PNP general purpose transistors |
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| BCW61B | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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| BCW61B | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain) |
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| BCW61B | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BCW61B | SECOS |
获取价格 |
-0.1A , -32V PNP Plastic Encapsulated Transistor |
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| BCW61B | KEXIN |
获取价格 |
General Purpose Transistor |
|
| BCW61B | RECTRON |
获取价格 |
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP) |
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