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BCW61B

更新时间： 2024-10-01 08:50:51

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	1643K
描述
-0.1A , -32V PNP Plastic Encapsulated Transistor

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BCW61B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.29
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz

BCW61B 数据手册

BCW61B

-0.1A , -32V

PNP Plastic Encapsulated Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

SOT-23

FEATURES

ꢀ

Low current

Low voltage

ꢀ

Top View

C B

MARKING :

PACKAGE INFORMATION

Collector

Package

MPQ

Leader Size

Millimeter

Min.

Millimeter

Min. Max.

REF.

Max.

3.04

2.55

1.40

1.15

2.04

0.50

SOT-23

7 inch

2.80

2.10

1.20

0.89

1.78

0.30

0.09

0.45

0.08

0.18

0.60

0.177

Base

0.6 REF.

0.89

1.02

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector to Base Voltage

Symbol

Ratings

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-32

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

-5

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

-100

°C

P_C

0.25

T_J, T_STG

150, -55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

Typ. Max.

Unit

Test Conditions

Collector to Base Breakdown Voltage

Collector to Emitter Breakdown Voltage

Emitter to Base Breakdown Voltage

Collector Cut-Off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-32

-5

I_C= -10µA, I_E=0

I_C= -1mA, I_B=0

I_E= -10µA, I_C=0

-0.02

µA

V_CB= -32V, I_E=0

Emitter Cut-Off Current

I_EBO

-0.02

V_EB= -4V, I_C=0

h_{FE (1)}

h_{FE (2)}

h_{FE (3)}

V_CE= -5V, I_C= -10µA

V_CE= -5V, I_C= -2mA

V_CE= -1V, I_C= -50mA

I_C= -10mA, I_B= -0.25mA

I_C= -50mA, I_B= -1.25mA

I_C= -10mA, I_B= -0.25mA

I_C= -50mA, I_B= -1.25mA

DC Current Gain

180

310

-0.06

-0.12

-0.6

-0.68

-0.25

Collector to Emitter Saturation Voltage

Base to Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.55

-0.85

-0.55

-1.05

CE= -5V, I

CE= -1V, I

= -10µA

= -2mA

Base to Emitter Voltage

-0.6

-0.75

-0.72

= -50mA

Transition Frequency

Collector capacitance

Emitter capacitance

f_T

100

MHz V_CE= -5V, I_C= -10mA, f=100MH

C_c

C_e

4.5

CB= -10V, I

=0, f=1MH

EB= -0.5V, I

=0, f=1MH

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

15-Jul-2011 Rev. A

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与BCW61B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCW61-B	INFINEON	获取价格	200mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61B,215	ETC	获取价格	TRANS PNP 32V 0.1A SOT23
BCW61B/E8	VISHAY	获取价格	Transistor
BCW61B/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 32V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
BCW61B/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR
BCW61BBK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61BBKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BCW61BD87Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BCW61BE6327	ROCHESTER	获取价格	100mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCW61BE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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