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BCW30

更新时间： 2024-01-12 09:15:55

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科信 - KEXIN		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	40K
描述
PNP General Purpose Transistors

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BCW30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	基于收集器的最大容量：	4.5 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	215	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

BCW30 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

BCW29,BCW30

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

IE = 0; VCB = -32 V

Min

Typ

Max

-100

-10

Unit

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

I^CBO

ìA

IE = 0; VCB = -32 V; Tj = 100

IC = 0; VEB = -5 V

I^EBO

-100

260

500

BCW29

120

215

DC current gain

hFE

I^C= -2 mA; VCE = -5 V

BCW30

I^C= -10 mA; IB = -0.5 mA

I^C= -50 mA; IB = -2.5 mA

I^C= -10 mA; IB = -0.5 mA

I^C= -50 mA; IB = -2.5 mA

IC = -2 mA; VCE = -5 V

-80

Collector-emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

VCE(sat)

V^BE(sat)

-150

-720

-810

Base to emitter voltage

Collector capacitance

Transition frequency

V^BE

C^C

f^T

-600

-750

IE = ie = 0; VCB = -10 V; f = 1 MHz

4.5

IC = -10 mA; VCE = -5 V; f = 100 MHz 100

MHz

I^C= -200 ìA; VCE = -5 V; RS = 2 kÙ;

f = 1 kHz; B = 200 Hz

Noise figure

hFE Classification

TYPE

BCW29

BCW30

Marking

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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