BCR42PN

更新时间： 2024-01-29 22:27:20

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
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描述
NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

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BCR42PN 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BCR42PN 数据手册

BCR42PN

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP

Transistors in one package

Built in bias resistor (R =22k , R =47k )

VPS05604

Tape loading orientation

Marking on SOT-363 package

(for example W1s)

Top View

6 5 4

corresponds to pin 1 of device

R₂

R₁

TR2

W1s

TR1

R₁

R₂

Position in tape: pin 1

1 2 3

opposite of feed hole side

Direction of Unreeling

EHA07193

EHA07176

Type

BCR42PN

Marking

W9s

Pin Configuration

1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1

Package

SOT363

Maximum Ratings

Parameter

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on Voltage

Symbol

Value

Unit

CEO

CBO

EBO

i(on)

DC collector current

100

250

150

°C

Total power dissipation, T = 115 °C

Junction temperature

tot

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

140

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

Dec-13-2001

12 3 4 5

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