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BCR25KM-12LB-A8

更新时间： 2024-01-22 22:31:51

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瑞萨 - RENESAS		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	131K
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Triac Medium Power Use

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BCR25KM-12LB-A8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.28
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	5 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	25 A	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

BCR25KM-12LB-A8 数据手册

BCR25KM-12LB

Performance Curves

Maximum On-State Characteristics

Rated Surge On-State Current

10³

10²

10¹

10⁰

400

300

200

100

Tj = 150°C

Tj = 25°C

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

10⁰

10¹

10²

On-State Voltage (V)

Conduction Time (Cycles at 50Hz)

Gate Trigger Current vs.

Junction Temperature

Gate Characteristics (I, II and III)

10³

10²

10¹

Typical Example

V_GM= 10 V

10¹

P_G(AV)=

0.5 W

P_GM= 5 W

V_GT= 2.5 V

I_GM= 2 A

10⁰

I_{FGT I}

I_{RGT I}

I_{RGT III}

10^–1

I_{FGT I}, I_{RGT I}, I_{RGT III}

V_GD= 0.1 V

10¹2 3 5 710²2 3 5 710³2 3 5 710⁴

-40

120

160

Gate Current (mA)

Junction Temperature (°C)

Gate Trigger Voltage vs.

Junction Temperature

Maximum Transient Thermal Impedance

Characteristics (Junction to case)

10²

10³

10⁴

10⁵

10³

Typical Example

10²

10¹

-40

10^-1

10⁰

10¹

10²

120

160

Junction Temperature (°C)

Conduction Time (Cycles at 60Hz)

REJ03G1676-0100 Rev.1.00 Jun 05, 2008

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