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BCR25KM-12LB-A8

更新时间： 2024-02-02 07:25:13

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瑞萨 - RENESAS		可控硅
页数	文件大小	规格书
8页	131K
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Triac Medium Power Use

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BCR25KM-12LB-A8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.28
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大漏电流：	5 mA
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	25 A	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	TRIACs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

BCR25KM-12LB-A8 数据手册

BCR25KM-12LB

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Conditions

RMS on-state current

I_{T (RMS)}

Commercial frequency, sine full wave 360°

conduction, Tc = 62°C

Surge on-state current

I²t for fusion

I_TSM

I²t

250

313

50 Hz sinewave 1 full cycle, peak value,

non-repetitive

A²s

Value corresponding to 1 cycle of half wave

50Hz, surge on-state current

Peak gate power dissipation

Average gate power dissipation

Peak gate voltage

P_GM

P_{G (AV)}

V_GM

I_GM

0.5

Peak gate current

Junction Temperature

Storage temperature

Mass

–40 to +150

2.0

°C

Tstg

—

Typical value

Isolation voltage

V_iso

2000

Ta = 25°C, AC 1 minute,

T₁• T₂• G terminal to case

Electrical Characteristics

Parameter

Repetitive peak off-state current

On-state voltage

Symbol

I_DRM

Min.

—

Typ.

—

Max.

3.0/5.0

1.5

Unit

Test conditions

Tj = 125/150°C, V_DRMapplied

V_TM

—

Tc = 25°C, I_TM= 40 A,

instantaneous measurement

Gate trigger voltage^Note2

ΙΙ

ΙΙΙ

V_FGT

—

2.0

Tj = 25°C, V_D= 6 V, R_L= 6 Ω,

R_G= 330 Ω

V_RGT

ΙΙΙ

Gate trigger curent^Note2

I_FGT

Tj = 25°C, V_D= 6 V, R_L= 6 Ω,

R_G= 330 Ω

ΙΙ

ΙΙΙ

I_RGT

ΙΙΙ

Gate non-trigger voltage

Thermal resistance

V_GD

0.2/0.1

—

2.8

—

Tj = 125/150°C, V_D= 1/2 V_DRM

Junction to case^Note3

Tj = 125/150°C

R_{th (j-c)}

(dv/dt)c

°C/W

V/µs

Critical-rate of rise of off-state

commutation voltage^Note4

10/1

Notes: 2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.

3. The contact thermal resistance R_{th (c-f)}in case of greasing is 0.5°C/W.

4. Test conditions of the critical-rate of rise of off-state commutation voltage is shown in the table below.

Commutating voltage and current waveforms

Test conditions

(inductive load)

1. Junction temperature

Time

Supply Voltage

Tj = 125/150°C

(di/dt)c

2. Rate of decay of on-state commutating current

(di/dt)c = –13 A/ms

Time

Main Current

Main Voltage

3. Peak off-state voltage

V_D= 400 V

(dv/dt)c

REJ03G1676-0100 Rev.1.00 Jun 05, 2008

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