BCR1AM-12-TB

更新时间： 2024-01-03 00:43:15

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瑞萨 - RENESAS		触发装置可控硅三端双向交流开关
页数	文件大小	规格书
7页	136K
描述
Triac Low Power Use

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BCR1AM-12-TB 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

BCR1AM-12-TB 数据手册

BCR1AM-12

Performance Curves

Maximum On-State Characteristics

Rated Surge On-State Current

10²

Tj = 25°C

10¹

10⁰

10^–1

10⁰

4 5 7 10¹

2 3

4 5 7 10²

0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4

On-State Voltage (V)

Conduction Time (Cycles at 60Hz)

Gate Trigger Current vs.

Junction Temperature

Gate Characteristics

10³

10¹

Typical Example

G(AV)

= 0.1W

= 6V

= 0.5A

10⁰

I , I

FGT I RGT I

10²

FGT I

RGT I

RGT III

FGT III

10^–1

I , I

RGT III FGT III

= 0.1V

10¹

10^–2

10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²2 3 5 7 10³

–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140

Gate Current (mA)

Junction Temperature (°C)

Maximum Transient Thermal

Impedance Characteristics

(Junction to case, Junction to ambient)

Gate Trigger Voltage vs.

Junction Temperature

10²2 3 5 7 10³2 3 5 7 10⁴2 3 5 7 10⁵

10³

Typical Example

Junction to ambient

10²

FGT

RGT I

10²

Junction to case

10¹

V ,V

RGT III FGT III

10¹

10⁰

10^–12 3 5 7 10⁰2 3 5 7 10¹2 3 5 7 10²

Conduction Time (Cycles at 60Hz)

–60–40–20 0 20 40 60 80 100120140

Junction Temperature (°C)

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 3 of 6

1 234 5 6 7

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