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BCP5310H6327XTSA1

更新时间： 2024-02-27 22:56:14

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英飞凌 - INFINEON		/
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

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BCP51...-BCP53...

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BCP51

BCP52

CEO

CBO

EBO

BCP53

Collector-base voltage

BCP51

BCP52

100

BCP53

Emitter-base voltage

Collector current

1.5

100

200

Peak collector current, t ≤ 10 ms

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

tot

T ≤ 120°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

≤ 15

Unit

K/W

Junction - soldering point

thJS

For calculation of R

please refer to Application Note AN077 (Thermal Resistance Calculation)

thJA

2011-10-13

123 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BCP53-10-Q	NEXPERIA	获取价格	80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction
BCP53-10T	NEXPERIA	获取价格	80 V, 1 A PNP medium power transistors
BCP53-10T/R	NXP	获取价格	1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN
BCP53-10T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SOT-223
BCP53-10T1G	ONSEMI	获取价格	PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT
BCP53-10T3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SOT-223
BCP5310TA	DIODES	获取价格	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223
BCP53-10TA	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4