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BCP53-10-TAPE-7 PDF预览

BCP53-10-TAPE-7

更新时间： 2024-02-26 04:20:24

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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BCP53-10-TAPE-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.05
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

BCP53-10-TAPE-7 数据手册

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与BCP53-10-TAPE-7相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCP53-10TC	DIODES	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格
BCP53-10TF	ETC	BCP53-10T/SOT223/SC-73	获取价格
BCP53-10T-Q	NEXPERIA	80 V, 1 A PNP medium power transistorsProduction	获取价格
BCP53-10TX	ETC	TRANS PNP 80V 1A SOT223	获取价格
BCP5316	STMICROELECTRONICS	LOW POWER PNP TRANSISTOR	获取价格
BCP5316	DIODES	PNP, 80V, 1A, SOT223	获取价格

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