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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.19 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP51-10TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP51-10-TP | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| BCP51-10-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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| BCP5116 | DIODES |
获取价格 |
PNP, 45V, 1A, SOT223 |
|
| BCP51-16 | NXP |
获取价格 |
PNP medium power transistors |
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| BCP51-16 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current) |
|
| BCP51-16 | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 1 A PNP medium power transistorProduction |
|
| BCP51-16 | MCC |
获取价格 |
Tape&Reel:2.5Kpcs/Reel; |
|
| BCP51-16 | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-223 |
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| BCP51-16 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
45V,1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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