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BCP51,115 PDF预览

BCP51,115

更新时间: 2024-01-01 22:53:22
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 127K
描述
45 V, 1 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin

BCP51,115 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SC-73
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.29.00.75
风险等级:0.75外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):63
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:1.5 W
认证状态:Not Qualified参考标准:AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):145 MHz
Base Number Matches:1

BCP51,115 数据手册

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BC636; BCP51; BCX51  
45 V, 1 A PNP medium power transistors  
Rev. 08 — 22 February 2008  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP medium power transistor series.  
Table 1.  
Product overview  
Type number[1]  
Package  
NXP  
NPN complement  
JEITA  
SC-43A  
SC-73  
SC-62  
JEDEC  
TO-92  
-
BC636[2]  
BCP51  
BCX51  
SOT54  
SOT223  
SOT89  
BC635  
BCP54  
BCX54  
TO-243  
[1] Valid for all available selection groups.  
[2] Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see Section 2).  
1.2 Features  
I High current  
I Two current gain selections  
I High power dissipation capability  
1.3 Applications  
I Linear voltage regulators  
I High-side switches  
I MOSFET drivers  
I Amplifiers  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
45  
1  
Unit  
V
VCEO  
IC  
collector-emitter voltage open base  
collector current  
-
-
-
-
-
-
A
ICM  
hFE  
peak collector current  
DC current gain  
single pulse; tp 1 ms  
-
1.5  
250  
A
VCE = 2 V;  
63  
IC = 150 mA  
hFE selection -10  
hFE selection -16  
VCE = 2 V;  
IC = 150 mA  
63  
-
-
160  
250  
VCE = 2 V;  
100  
IC = 150 mA  
 
 
 
 
 
 
 

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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