BCM856DS

更新时间： 2024-09-25 08:50:07

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	105K
描述
PNP/PNP matched double transistors

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BCM856DS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	PLASTIC, SMD, SC-74, TSOP-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.38 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	175 MHz	Base Number Matches：	1

BCM856DS 数据手册

BCM856BS; BCM856BS/DG

BCM856DS; BCM856DS/DG

PNP/PNP matched double transistors

Rev. 01 — 7 August 2008

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic

packages. The transistors are fully isolated internally.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

Package conﬁguration

very small

JEITA

BCM856BS

SOT363

SC-88

BCM856BS/DG

BCM856DS

SOT457

SC-74

small

BCM856DS/DG

1.2 Features

I Current gain matching

I Base-emitter voltage matching

I Drop-in replacement for standard double transistors

I AEC-Q101 qualiﬁed

1.3 Applications

I Current mirror

I Differential ampliﬁer

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_C

open base

−65

collector current

DC current gain

−100

450

h_FE

V_CE= −5 V;

I_C= −2 mA

200

290

12 3 4 5 6 7...14

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