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BC880

更新时间: 2024-10-27 22:39:27
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管达林顿晶体管
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4页 173K
描述
PNP Silicon Darlington Transistors (High current gain High collector current)

BC880 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.89
最大集电极电流 (IC):1 A配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):200 MHz

BC880 数据手册

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BC 876  
… BC 880  
Total power dissipation Ptot = f (T  
A
; TC)  
Collector cutoff current ICB0 = f (T  
CB = 100 V  
A
)
V
Permissible pulse load RthJA = f (t  
p)  
DC current gain hFE = f (T )  
A
VCE = 10 V  
Semiconductor Group  
3

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