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BC858BTR PDF预览

BC858BTR

更新时间： 2024-10-01 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BC858BTR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.01Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：4.5 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：220
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.65 V
Base Number Matches：1

BC858BTR 数据手册

 浏览型号BC858BTR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
BC856 SERIES  
BC857 SERIES  
BC858 SERIES  
Central  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BC856,  
BC857 and BC858 Series types are PNP Silicon  
Transistors manufactured by the epitaxial planar  
process, epoxy molded in a surface mount  
package, designed for general purpose switching  
and amplifier applications.  
PNP SILICON TRANSISTOR  
MARKING CODE: PLEASE SEE MARKING  
CODE TABLE ON FOLLOWING PAGE  
Note: Reverse Lead Codes Available, Add “R” to  
the end of the Part # and Marking Code.  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
BC858  
30  
30  
BC857  
50  
BC856  
80  
65  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
45  
5.0  
V
I
100  
200  
200  
350  
C
mA  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
I
CM  
mA  
I
mA  
BM  
Power Dissipation  
P
mW  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
15  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
= 30V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
= 30V, T =150°C  
A
4.0  
=5.0V  
I =10µA (BC858)  
100  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
30  
50  
80  
30  
45  
65  
5.0  
CBO  
CBO  
C
I =10µA (BC857)  
V
C
I =10µA (BC856)  
V
CBO  
C
I =10mA (BC858)  
V
CEO  
C
I =10mA (BC857)  
V
CEO  
C
I =10mA (BC856)  
V
CEO  
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =0.5mA  
0.3  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
C
B
B
I =100mA, I =5.0mA  
0.65  
0.75  
0.82  
V
C
I =2.0mA, V =5.0V  
CE  
0.6  
V
C
I =10mA, V =5.0V  
V
C
CE  
C
f
V
=5.0V, I =10mA, f=100MHz  
=5.0V, I =200µA,  
C
100  
MHz  
T
CE  
CE  
NF  
V
R =2KΩ, f= 1KHz, BW=200Hz  
10  
dB  
S
BC856A  
BC857A  
BC858A  
BC856B  
BC857B  
BC858B  
BC857C  
BC858C  
MIN  
125  
MAX  
250  
MIN  
220  
MAX  
475  
MIN  
420  
MAX  
h
V
=5.0V, I =2.0mA  
800  
FE  
CE  
C
R1 (10-September 2004)  
12

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与BC858BTR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC858BTR13 CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC858BTRL NXP

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 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, BIP General Purpose S
BC858BTRL13 YAGEO

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC858BTRLEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC858BTRPBFREE CENTRAL

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 		暂无描述
BC858BTRTIN/LEAD CENTRAL

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 		Transistor
BC858BW DIOTEC

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 		Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC858BW SECOS

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 		BC856AW
BC858BW MCC

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 		PNP General Purpose Transistors
BC858BW INFINEON

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 		PNP Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain

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