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BC850L-C-AN3-R

更新时间: 2024-02-15 22:16:24
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页数 文件大小 规格书
5页 248K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

BC850L-C-AN3-R 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.57
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):420
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

BC850L-C-AN3-R 数据手册

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BC846-BC850  
NPN SILICON TRANSISTOR  
„
TYPICAL CHARACTERISTICS  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter on Voltage  
VCE=2V  
10000  
100  
10  
1
IC=10IB  
VBE(SAT)  
1000  
100  
VCE(sat)  
10  
1
0.1  
10  
100  
1000  
0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2  
Collector Current, IC(mA)  
Base-Emitter Voltage, VBE(V)  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
4 of 5  
QW-R206-027,G  
www.unisonic.com.tw  

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