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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC849CTA | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BC849C-TAPE-13 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC849C-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC849CTC | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BC849C-TP | MCC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO |
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| BC849C-TP-HF | MCC | Small Signal Bipolar Transistor, |
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