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BC848

更新时间： 2024-02-13 02:53:52
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威世 - VISHAY 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 304K
描述
Small Signal Transistors (NPN)

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BC848 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.56Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：110
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC848 数据手册

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BC846 THRU BC849  
Small Signal Transistors (NPN)  
FEATURES  
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors  
for switching and AF amplifier applications.  
SOT-23  
.122 (3.1)  
.118 (3.0)  
♦
♦
♦
.016 (0.4)  
Top View  
3
Especially suited for automatic insertion in  
thick- and thin-film circuits.  
These transistors are subdivided into three  
1
2
groups A, B and C according to their current gain. The  
type BC846 is available in groups A and B, however, the  
types BC847 and BC848 can be supplied in all three  
groups. The BC849 is a low noise type available in groups  
B and C. As complementary types, the PNP transistors  
BC856...BC859 are recommended.  
.037(0.95) .037(0.95)  
.102 (2.6)  
.094 (2.4)  
.016 (0.4) .016 (0.4)  
MECHANICAL DATA  
Case: SOT-23 Plastic Package  
Weight: approx. 0.008 g  
Marking code  
Pin configuration  
1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector.  
Type  
Marking  
Type  
Marking  
BC846A  
B
1A  
1B  
BC848A  
1J  
1K  
1L  
B
C
BC847A  
1E  
1F  
1G  
B
C
BC849B  
C
2B  
2C  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at  
ambient temperature unless otherwise specified  
25 °C  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
BC846  
BC847  
V
80  
50  
30  
V
V
V
CBO  
V
CBO  
CBO  
BC848, BC849  
V
BC846  
BC847  
BC848, BC849  
V
80  
50  
30  
V
V
V
CES  
V
CES  
V
CES  
BC846  
BC847  
BC848, BC849  
V
65  
45  
30  
V
V
V
CEO  
V
CEO  
V
CEO  
BC846, BC847  
BC848, BC849  
V
EBO  
6
5
V
V
EBO  
V
Collector Current  
I
I
100  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
C
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
Peak Emitter Current  
200  
CM  
I
200  
BM  
–I  
P
200  
EM  
Power Dissipation at T = 50 °C  
3101)  
150  
SB  
tot  
Junction Temperature  
T
j
Storage Temperature Range  
T
S
–65 to +150  
°C  
1) Device on fiberglass substrate, see layout  
5/98  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848_15 UTC

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