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BC818-16

更新时间： 2024-01-12 08:02:00

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	334K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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BC818-16 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.2
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BC818-16 数据手册

BC18

TRANSISTOR (NPN)

BC818-16

BC818-25

BC818-40

SOT-23

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

For general AF applications

High collector current

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

0.5

P_C

0.3

℃

150

-55-150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_CBO

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 10μA, I_E=0

V_CEO

I_C= 10mA, I_B=0

V_EBO

I_E= 10μA, I_C=0

μA

I_CBO

V_CB= 25 V , I_E=0

V_EB= 4V, I_C=0

0.1

630

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

V_CE= 1V, I_C= 100mA

V_CE= 1V, I_C= 300mA

I_C= 500mA, I_B= 50mA

V_CE=1V, I_C= 500mA

V_CB=10V ,f=1MHz

100

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.7

1.2

Collecter capactiance

C_ob

170

_CE= 5 V,

I_C= 50mA

Transition frequency

f_T

MHz

f=100MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

(1)

Rank

BC818-16

BC818-25

160-400

BC818-40

Range

Marking

100-250

250-630

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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与BC818-16相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC818-16/E8	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-23	获取价格
BC818-16/E9	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-23	获取价格
BC818-16D87Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BC818-16E6327	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BC818-16E6433	INFINEON	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
BC818-16L	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SOT-23	获取价格