BC817-25

更新时间： 2024-11-10 22:48:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管
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2页	121K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC817-25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.82	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	160	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC817-25 数据手册

BC 817 / BC 818

NPN

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 817

BC 818

25 V

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted V_CES

E open

C open

V_CE0

45 V

50 V

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

310 mW ¹)

800 mA

1000 mA

200 mA

1000 mA

150ꢀC

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

V_CE= 1 V, I_C= 500 mA

h_FE

100

160

250

–

160

250

400

600

–

250

400

600

BC817

BC818

Group -16

Group -25

Group -40

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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BC817-25 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC817-25LT3	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC817,215	NXP	功能相似	BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817-25LT1	ONSEMI	功能相似	General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与BC817-25相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC817-25,215	NXP	获取价格	BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817-25,235	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
BC817-25/E8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-23
BC817-25/E9	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-23
BC817-25/SNR	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
BC817-25/SNVL	ETC	获取价格	TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
BC817-25/T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR SMD KLEINSIGN. SOT 23 323 143
BC817-25-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC817-25-13-F	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
BC817-25-3L	BL Galaxy Electrical	获取价格	45V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

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