BC807-16

更新时间： 2024-01-15 18:37:30

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美台 - DIODES		晶体晶体管
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3页	61K
描述
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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BC807-16 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

BC807-16 数据手册

BC807-16/ -25/ -40

PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features

SOT-23

ꢁ

Ideally Suited for Automatic Insertion

Dim

Min

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.903

0.45

0.85

0ꢂ

Max

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.10

0.61

0.80

8ꢂ

Epitaxial Planar Die Construction

For Switching, AF Driver and Amplifier

Applications

ꢁ

Complementary NPN Types Available (BC817)

Mechanical Data

ꢁ

Case: SOT-23, Molded Plastic

TOP VIEW

Case material - UL Flammability Rating

Classification 94V-0

ꢁ

Moisture sensitivity: Level 1 perJ-STD-020A

Terminals: Solderable per MIL-STD-202,

Method 208

ꢁ

Pin Connections: See Diagram

Marking (See Page 3): BC807-16 5A, K5A

BC807-25 5B, K5B

BC807-40 5C,K5C

All Dimensions in mm

ꢁ

Ordering & Date Code Information: See Page 3

Approx. Weight: 0.008 grams

Maximum Ratings

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

-45

Unit

Emitter-Base Voltage

-5.0

Collector Current

-500

°C/W

°C

I_CM

Peak Collector Current

-1000

310

I_EM

Peak Emitter Current

Power Dissipation at T_SB= 50°C (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Substrate Backside (Note 1)

Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

P_d

R_ꢀJSB

R_ꢀJA

T_j, T_STG

320

403

-65 to +150

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic (Note 2)

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Condition

DC Current Gain

Current Gain Group -16

-25

-40

Current Gain Group -16

V_CE= 1.0V, I_C= 100mA

100

160

250

400

600

—

h_FE

—

V_CE= 1.0V, I_C= 300mA

-25

-40

100

170

—

I_C= 500mA, I_B= 50mA

V_CE= 1.0V, I_C= 300mA

V_CE= 45V

V_CE(SAT)

V_BE

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

—

-0.7

-1.2

-100

-5.0

µA

I_CES

I_EBO

f_T

Collector-Emitter Cutoff Current

Emitter-Base Cutoff Current

Gain Bandwidth Product

—

_CE= 25V, T_j= 150°C

V_EB= 4.0V

_CE= 5.0V, I_C= 10mA,

-100

—

MHz

100

—

f = 50MHz

V_CB= 10V, f = 1.0MHz

C_CBO

Collector-Base Capacitance

1. Device mounted on ceramic substrate 0.7mm; 2.5cm area.

Notes:

2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.

DS11208 Rev. 9 - 2

1 of 3

BC807-16/-25/-40

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BC807-16/E9	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| SOT-23	获取价格
BC807-16/T1	ETC	TRANSISTOR	获取价格
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