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BC807-16-13

更新时间： 2024-11-21 14:47:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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BC807-16-13 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC807-16-13 数据手册

 浏览型号BC807-16-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC807-16-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: BC807-16 BC807-25 BC807-40  
BC807-16/ -25/ -40  
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Epitaxial Planar Die Construction  
For Switching, AF Driver and Amplifier Applications  
Complementary NPN Types Available (BC817)  
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version (Note 3)  
SOT-23  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
C
B
C
B
TOP VIEW  
C
Mechanical Data  
·
E
B
D
G
E
D
Case: SOT-23  
E
H
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
K
M
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
J
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
J
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 5, on Page 3  
K
L
C
·
·
Pin Connections: See Diagram  
M
Marking (See Page 3): BC807-16 5A, K5A  
BC807-25 5B, K5B  
a
All Dimensions in mm  
BC807-40 5C, K5C  
E
B
·
·
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-45  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5.0  
V
-500  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C/W  
°C  
ICM  
Peak Collector Current  
Peak Emitter Current  
-1000  
-1000  
310  
IEM  
Power Dissipation at TSB = 50°C (Note 1)  
Pd  
RqJSB  
RqJA  
Tj, TSTG  
Thermal Resistance, Junction to Substrate Backside (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
320  
403  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic (Note 2)  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
DC Current Gain  
Current Gain Group -16  
VCE = 1.0V, IC = 100mA  
100  
160  
250  
60  
100  
170  
250  
400  
600  
—
-25  
-40  
hFE  
—
—
Current Gain Group -16  
VCE = 1.0V, IC = 300mA  
-25  
-40  
—
—
IC = 500mA, IB = 50mA  
VCE = 1.0V, IC = 300mA  
VCE(SAT)  
VBE  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
—
—
—
—
-0.7  
-1.2  
V
V
VCE = 45V  
-100  
-5.0  
nA  
µA  
ICES  
IEBO  
fT  
Collector-Emitter Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
Gain Bandwidth Product  
—
—
—
—
—
—
VCE = 25V, Tj = 150°C  
VEB = 4.0V  
-100  
—
nA  
MHz  
pF  
VCE = 5.0V, IC = 10mA,  
f = 50MHz  
100  
—
VCB = 10V, f = 1.0MHz  
CCBO  
Collector-Base Capacitance  
12  
2
Notes: 1. Device mounted on ceramic substrate 0.7mm; 2.5cm area.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS11208 Rev. 11 - 2  
1 of 3  
BC807-16/-25/-40  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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与BC807-16-13相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC80716-5AZ ZETEX

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 		PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BC807-16-6L BL Galaxy Electrical

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 		45V,0.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
BC807-16-7 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC807-16-7-F BL Galaxy Electrical

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 		PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC807-16-7-F DIODES

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BC807-16-B0RFG TSC

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