BC560

更新时间： 2024-02-27 13:52:32

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号双极晶体管
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3页	72K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BC560 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1.5 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.6 V
Base Number Matches：	1

BC560 数据手册

PNP EPITAXIAL

BC556/557/558/559/560

SILICON TRANSISTOR

SWITCHING AND AMPLIFIER

· HIGH VOLTAGE: BC556, V_CEO= -65V

· LOW NOISE: BC559, BC560

TO-92

· Complement to BC546 ... BC 550

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

V_CBO

Rating

Unit

Collector-Base Capacitance

: BC556

-80

-50

-30

: BC557/560

: BC558/559

Collector-Emitter Voltage

: BC556

V_CEO

-65

-45

: BC557/560

: BC558/559

-30

-5

-100

500

150

°C

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

V_EBO

I_C

P_C

T_J

T_STG

-65 ~ 150

1. Collector 2. Base 3. Emitter

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_CBO

h_FE

V_CE(sat)

Collector Cut-off Current

DC Current Gain

Collector Emitter Saturation Voltage

V_CB= -30V, I_E=0

V_CE= -5V, I_C=2mA

-15

800

-300

-650

110

I_C= -10mA, I_B= -0.5mA

I_C= -100mA, I_B= -5mA

I_C= -10mA, I_B= -0.5mA

I_C= -100mA, I_B= -5mA

V_CE= -5V, I_C= -2mA

V_CE= -5V, I_C= -10mA

-90

-250

-700

-900

-660

MHz

V_BE(on)

f_T

Collector Base Saturation Voltage

Base Emitter On Voltage

-750

-800

-600

150

Current Gain Bandwidth Product

Collector Base Capacitance

C_CBO

V_CB= -10V, f=1MHz

V_CE= -5V, I_C= -200mA

f=1KHz, R_G=2KW

V_CE= -5V, I_C= -200mA

R_G=2KW

Noise Figure

: BC556/557/558

: BC559/560

1.2

: BC559

: BC560

f=30~15000MHz

h_FECLASSIFICATION

Classification

h_FE

110-220

200-450

420-800

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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