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BC558B{BOX}

更新时间: 2024-11-04 14:41:03
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美台 - DIODES 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 131K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

BC558B{BOX} 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BC558B{BOX} 数据手册

  

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