BC547C

更新时间： 2024-11-07 22:48:15

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德欧泰克 - DIOTEC		/
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2页	90K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC547C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	1.8	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	420	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz

BC547C 数据手册

BC 546 ... BC 549

NPN

General Purpose Transistors

NPN

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 546

65 V

85 V

80 V

6 V

BC 547

45 V

50 V

6 V

500 mW ¹)

100 mA

200 mA

150ꢀC

BC 548/549

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

B shorted

E open

V_CE0

V_CES

V_CB0

V_EB0

P_tot

I_C

I_CM

I_BM

- I_EM

T_j

30 V

5 V

C open

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 10 ꢀA

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_CE= 5 V, I_C= 100 mA

h_FE

typ. 90

110...220

typ. 120

typ. 150

200...450

typ. 200

typ. 270

420...800

typ.400

h-Parameters at V_CE= 5V, I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Stromverst.

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausgangsleitwert

h_fe

h_ie

h_oe

typ. 220

1.6...4.5 kꢁ

18 < 30 ꢀS

typ. 330

3.2...8.5 kꢁ

30 < 60 ꢀS

typ. 600

6...15 kꢁ

60 < 110 ꢀS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

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BC547C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC547BBK	DIOTEC	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC547B	DIOTEC	完全替代	Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC547CBK	DIOTEC	类似代替	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

与BC547C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC547-C	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC547C(AMMOPAK)	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC547C(BOX)	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC547C,126	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, 3 P
BC547C/D26Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547C/D27Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547C/D74Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547C/D75Z	TI	获取价格	NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC547C/E6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92
BC547C/E7	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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