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BC517

更新时间： 2024-02-06 13:57:36
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 209K
描述
Darlington Transistors

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BC517 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.25最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：30000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：220 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

BC517 数据手册

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by BC517/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR 1  
BASE  
2
EMITTER 3  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
Rating  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CES  
V
CB  
40  
V
EB  
10  
Collector Current — Continuous  
I
C
1.0  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
12  
mW  
mW/°C  
A
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient  
R
200  
°C/W  
JA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
83.3  
°C/W  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
30  
40  
10  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 2.0 mAdc, V  
C BE  
= 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
V
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 nAdc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc)  
I
500  
100  
100  
nAdc  
nAdc  
nAdc  
CES  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
EB  
C
Motorola, Inc. 1996
123456

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与BC517相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC517,112 NXP

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 		TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC517,116 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, SC-43A, 3 PIN,
BC517/D ETC

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 		Darlington Transistor NPN
BC517/D10Z TI

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 		1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC517/D11Z TI

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 		1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC517/D26Z TI

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 		1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC517/D27Z TI

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 		1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC517/D28Z TI

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 		1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC517/D29Z TI

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 		1000mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC517/D74Z TI

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 		1000mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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