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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC373RLRB
BC373RLRB PDF预览

BC373RLRB

更新时间： 2024-09-17 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管达林顿晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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BC373RLRB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：25 pF配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：8000JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：1.5 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：1.1 VBase Number Matches：1

BC373RLRB 数据手册

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by BC372/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR 3  
BASE  
2
1
2
3
EMITTER 1  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
BC372 BC373  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
100  
100  
80  
80  
CES  
CBO  
EBO  
V
V
12  
Collector Current — Continuous  
I
C
1.0  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CES  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(I = 100 Adc, I = 0)  
BC372  
BC373  
100  
80  
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
V
Vdc  
BC372  
BC373  
100  
80  
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
12  
—
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 80 Vdc, I = 0)  
BC372  
BC373  
—
—
—
—
100  
100  
E
= 60 Vdc, I = 0)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 10 V, I = 0)  
I
—
—
100  
nAdc  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle 2.0%.  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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