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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC338-25RLRM
BC338-25RLRM PDF预览

BC338-25RLRM

更新时间： 2024-11-01 13:05:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 123K
描述
800mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN

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BC338-25RLRM 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.36Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：210 MHz
Base Number Matches：1

BC338-25RLRM 数据手册

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by BC337/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
BC337 BC338  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
45  
50  
25  
30  
Vdc  
5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
800  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 10 mA, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
BC337  
BC338  
45  
25  
—
—
—
—
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 100 µA, I = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
BC337  
BC338  
50  
30  
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 A, I = 0)  
V
5.0  
—
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 30 V, I = 0)  
BC337  
BC338  
—
—
—
—
100  
100  
E
= 20 V, I = 0)  
E
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
nAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= 45 V, V  
= 25 V, V  
= 0)  
= 0)  
BC337  
BC338  
—
—
—
—
100  
100  
BE  
BE  
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
—
—
100  
EBO  
EB  
C
Motorola, Inc. 1996
1234

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与BC338-25RLRM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC338-25RLRP MOTOROLA

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 		暂无描述
BC338-25RLRP ONSEMI

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 		800mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN
BC338-25-T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC338-25-T92-B UTC

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 		Transistor
BC338-25-T92-K UTC

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 		Transistor
BC33825TA ROCHESTER

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 		800mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
BC33825TA FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
BC33825TA ONSEMI

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 		NPN Bipolar Transistor
BC338-25ZL1 ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
BC338-25ZL1G ONSEMI

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 		Amplifier Transistors NPN Silicon

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