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BC33840BU PDF预览

BC33840BU

更新时间： 2024-11-28 21:04:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 23K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN

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BC33840BU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.19
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：170
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC33840BU 数据手册

 浏览型号BC33840BU的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC33840BU的Datasheet PDF文件第3页 
BC337/338  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC327/BC328  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC337  
: BC338  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
50  
30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC337  
: BC338  
45  
25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5
800  
V
mA  
mW  
°C  
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
P
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC337  
: BC338  
45  
25  
V
V
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =0.1mA, V =0  
C BE  
: BC337  
: BC338  
50  
30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =0.1mA, I =0  
5
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: BC337  
CES  
V
V
=45V, I =0  
=25V, I =0  
B
2
2
100  
100  
nA  
nA  
CE  
CE  
B
: BC338  
h
h
DC Current Gain  
V
V
=1V, I =100mA  
100  
60  
630  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =300mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.7  
1.2  
V
V
CE  
C
B
V
=1V, I =300mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=5V, I =10mA, f=50MHz  
100  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
16  
100 ~ 250  
60-  
25  
40  
h
h
160 ~ 400  
100-  
250 ~ 630  
170-  
FE1  
FE2  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123

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BC33840BU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC33840TA FAIRCHILD

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
BC33840TA ONSEMI

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

与BC33840BU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC33840D26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC338-40D26Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC33840D27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC338-40D27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC33840D74Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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BC33840J05Z FAIRCHILD

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