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BC337.25

更新时间： 2024-01-27 20:13:33
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关放大器晶体管PC
页数 文件大小 规格书
3页 33K
描述
Switching and Amplifier Applications

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BC337.25 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：1.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.625 W
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：210 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

BC337.25 数据手册

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BC337/338  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC327/BC328  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC337  
: BC338  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
50  
30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC337  
: BC338  
45  
25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5
800  
V
mA  
mW  
°C  
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
P
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC337  
: BC338  
45  
25  
V
V
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I =0.1mA, V =0  
C BE  
: BC337  
: BC338  
50  
30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =0.1mA, I =0  
5
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: BC337  
CES  
V
V
=45V, I =0  
=25V, I =0  
B
2
2
100  
100  
nA  
nA  
CE  
CE  
B
: BC338  
h
h
DC Current Gain  
V
V
=1V, I =100mA  
100  
60  
630  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =300mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.7  
1.2  
V
V
CE  
C
B
V
=1V, I =300mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=5V, I =10mA, f=50MHz  
100  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
16  
100 ~ 250  
60-  
25  
40  
h
h
160 ~ 400  
100-  
250 ~ 630  
170-  
FE1  
FE2  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123

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