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BC337-10

更新时间： 2024-01-16 13:58:13

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	154K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-92

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BC337-10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BC337-10 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

BC337

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

BC337A

BC338

TO-92

Plastic Package

Complementary Transistors For Use in Driver And Output Stages of Audio Amplifiers

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

BC327

BC337

BC327A

BC337A

BC328

BC338

UNITS

V_CEO

V_CES

V_EBO

I_C

I_CM

I_{E M}

I_B

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

mW/ºC

5.0

800

1.0

100

200

625

Collector Current Continuous

Peak

Emitter Current Peak

Base Current Continuous

Base Current Peak

Power Dissipation @ Ta=25°C

Derate Above 25°C

I_BM

P_TA

ºC

T_j, T_stg

Operating And Storage Junction

Temperature Range

-65 to +150

THERMAL RESISTANCE

Junction to Ambient in Free Air

R_th(j-a)

200

ºC/W

Continental Device India Limited

Data Sheet

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