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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC32725TA
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BC32725TA

更新时间： 2024-11-08 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
PNP 双极晶体管

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BC32725TA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.77
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC32725TA 数据手册

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by BC327/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
BC327 BC328  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–45  
–50  
–25  
–30  
Vdc  
–5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–800  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
BC327  
BC328  
–45  
–25  
—
—
—
—
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –100 µA, I = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
BC327  
BC328  
–50  
–30  
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A, I = 0)  
V
–5.0  
—
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 V, I = 0)  
BC327  
BC328  
—
—
—
—
–100  
–100  
E
= –20 V, I = 0)  
E
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
nAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –45 V, V  
= –25 V, V  
= 0)  
= 0)  
BC327  
BC328  
—
—
—
—
–100  
–100  
BE  
BE  
Emitter Cutoff Current  
(V = –4.0 V, I = 0)  
I
—
—
–100  
EBO  
EB  
C
Motorola, Inc. 1996
1234

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BC32725TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC327G ONSEMI

类似代替

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BC327 ONSEMI

类似代替

 Amplifier Transistors(PNP Silicon)

与BC32725TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC32725TA_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC32725TAR FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC327-25ZL1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92
BC327-25ZL1G ONSEMI

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 		Amplifier Transistors
BC32740 FAIRCHILD

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BC327-40 MCC

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 		Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC327-40 NXP

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 		PNP general purpose transistor
BC327-40 INFINEON

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 		PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter
BC327-40 ONSEMI

获取价格

 		Amplifier Transistors

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