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BC308AD26Z

更新时间： 2024-01-01 06:48:29

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	55K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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BC308AD26Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

BC308AD26Z 数据手册

BC307/308/309

Switching and Amplifier Applications

•

Low Noise: BC309

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

: BC307

: BC308/309

Collector-Emitter Voltage

CES

-50

-30

CEO

: BC307

-45

-25

: BC308/309

Emitter-Base Voltage

-5

-100

EBO

Collector Current (DC)

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

500

150

-55 ~ 150

°C

STG

Rev. B, January 2001

12 3 4 5

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