BC308B

更新时间： 2024-02-06 19:52:06

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
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5页	44K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BC308B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

BC308B 数据手册

BC307/308/309

Switching and Amplifier Applications

•

Low Noise: BC309

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

: BC307

: BC308/309

Collector-Emitter Voltage

CES

-50

-30

CEO

: BC307

: BC308/309

-45

-25

Emitter-Base Voltage

-5

-100

EBO

Collector Current (DC)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

500

150

-55 ~ 150

°C

STG

Rev. A2, August 2002

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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