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BC213L PDF预览

BC213L

更新时间： 2024-11-03 22:27:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 29K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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BC213L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.41最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

BC213L 数据手册

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BC213L  
PNP General Purpose Amplifier  
•
This device is deisgned for use as general purpose amplifiers and  
switches requiring collector currents to 300mA.  
Sourced from process 68.  
•
•
See PN200 for Characteristics.  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)-  
V
V
CEO  
-45  
CBO  
EBO  
-5.0  
V
I
- Continuous  
-500  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J
STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
I
I
I
= -2mA, I = 0  
-30  
-45  
-5.0  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= -10µA, I = 0  
E
= -10µA, I = 0  
V
C
I
I
V
V
= -30V, I = 0  
-15  
-15  
nA  
nA  
CB  
EB  
E
= -4.0V, I = 0  
EBO  
C
On Characteristics *  
h
DC Current Gain  
V
V
= -5V, I = -10µA  
40  
80  
FE  
CE  
CE  
C
= -5V, I = -2.0mA  
400  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= -10mA, I = -0.5mA  
-0.25  
-0.6  
V
CE  
C
C
B
= -100mA, I = -5.0mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
= -100mA, I = -5.0mA  
-1.1  
V
V
BE  
C
B
V
= -5.0V, I = -2.0mA  
-0.6  
200  
-0.72  
BE  
CE  
C
Small Signal Characteristics  
f
Current gain Bandwidth Product  
V
= -5.0V, I = -10mA  
MHz  
dB  
T
CE  
C
f = 100MHz  
NF  
Noise Figure  
V
= -5.0V, I = -200µA  
10  
CE  
C
RG = 2.0kΩ, f = 1.0KHz  
h
Small Signal Current Gain  
I
= -2.0mA, V = -5.0V  
80  
fe  
C
CE  
f = 1.0KHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, August 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC213L_D27Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC213LA MICRO-ELECTRONICS

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,
BC213LB ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
BC213LC ETC

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BC213PM1TA DIODES

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BC213RL ONSEMI

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 		100mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
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