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BC184LC_L34Z PDF预览

BC184LC_L34Z

更新时间： 2024-11-26 21:11:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 23K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN

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BC184LC_L34Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.65最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

BC184LC_L34Z 数据手册

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BC184LC  
Silicon NPN Small Signal Transistor (Note 1)  
•
•
BV  
= 30V (Min.)  
= 250 (Min.) @V = 5.0V, I = 2mA  
CE C  
CEO  
h
FE  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
V
V
CBO  
30  
CEO  
EBO  
5
V
I
200  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
P
Collector Dissipation (T =25°C) (Note 2, 3)  
625  
C
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
45  
30  
5
Typ.  
Max. Units  
BV  
I
I
I
= 10µA  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= 2mA  
= 10µA  
I
I
V
V
= 30V  
= 3V  
15  
15  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
h
V
V
V
= 5V, I = 10µA  
100  
250  
130  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 2mA  
C
= 5V, I = 100mA  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 10mA, I = 0.5mA  
0.25  
0.6  
V
CE  
C
C
B
= 100mA, I = 5mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
I
= 100mA, I = 5mA  
1.2  
0.7  
5
V
V
BE  
C
B
V
V
V
= 5V, I = 2mA  
0.55  
BE  
CE  
CE  
CE  
C
COB  
= 10V, f = 1MHz  
pF  
f
Current gain Bandwidth Product  
= 5V, I = 10mA  
150  
450  
MHz  
T
C
f = 100MHz  
h
Small Signal Current Gain  
Noise Figure  
V
= 5V, I = 2mA  
900  
4
FE  
CE  
C
f = 1KHz  
NF  
V
= 5V, I = 200mA  
dB  
CE  
C
RG = 2KΩ, f = 1KHz  
Notes:  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
3. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150degrees C.  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2002  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC184RL MOTOROLA

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 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC184RL1 ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
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 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
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