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BC184RLRM

更新时间： 2024-11-26 19:47:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 319K
描述
100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN

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BC184RLRM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.41最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

BC184RLRM 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol BC182 BC183 BC184  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
50  
60  
30  
45  
30  
45  
Vdc  
6.0  
100  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
357  
125  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mA, I = 0)  
V
V
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
BC182  
BC183  
BC184  
50  
30  
30  
—
—
—
—
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 A, I = 0)  
BC182  
BC183  
BC184  
60  
45  
45  
—
—
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 A, I = 0)  
6.0  
—
—
V
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nA  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 50 V, V  
= 30 V, V  
= 0)  
= 0)  
BC182  
BC183  
BC184  
—
—
—
0.2  
0.2  
0.2  
15  
15  
15  
BE  
BE  
Emitter–Base Leakage Current  
(V = 4.0 V, I = 0)  
I
—
—
15  
nA  
EBO  
EB  
C
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–79  
1234567...34

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与BC184RLRM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC184RLRP MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC184ZL1 ONSEMI

获取价格

 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
BC185 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5
BC186 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18
BC187 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Transistors
BC-187.500MBE-T ETC

获取价格

 		OSC XO 187.50MHZ LVPECL SMD
BC-187.500MCE-T ETC

获取价格

 		OSC XO 187.50MHZ LVPECL SMD
BC187LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,
BC190 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 64V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-9VAR
BC19101R-330-J YAGEO

获取价格

 		Single Phase EMI Filter,

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