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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC183RLRM
BC183RLRM PDF预览

BC183RLRM

更新时间： 2024-01-13 21:24:42
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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BC183RLRM 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.64
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
基于收集器的最大容量：5 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：80
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：1 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：240 MHzVCEsat-Max：0.6 V
Base Number Matches：1

BC183RLRM 数据手册

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ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) (Continued)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(I = 10 µA, V  
C CE  
h
FE  
—
= 5.0 V)  
BC182  
BC183  
BC184  
40  
40  
100  
—
—
—
—
—
—
(I = 2.0 mA, V  
CE  
= 5.0 V)  
= 5.0 V)  
BC182  
BC183  
BC184  
120  
120  
250  
—
—
—
500  
800  
800  
C
(I = 100 mA, V  
C CE  
BC182  
BC183  
BC184  
80  
80  
130  
—
—
—
—
—
—
Collector–Emitter On Voltage  
(I = 10 mA, I = 0.5 mA)  
V
V
V
CE(sat)  
—
—
0.07  
0.2  
0.25  
0.6  
C
B
(1)  
(I = 100 mA, I = 5.0 mA)  
C
B
Base–Emitter Saturation Voltage  
(1)  
—
—
1.2  
V
V
BE(sat)  
(I = 100 mA, I = 5.0 mA)  
C
B
Base–Emitter On Voltage  
V
BE(on)  
(I = 100 µA, V  
= 5.0 V)  
= 5.0 V)  
= 5.0 V)  
—
0.55  
—
0.5  
0.62  
0.83  
—
0.7  
—
C
CE  
CE  
CE  
(I = 2.0 mA, V  
C
(1)  
(I = 100 mA, V  
C
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Current–Gain — Bandwidth Product  
f
T
MHz  
(I = 0.5 mA, V  
= 3.0 V, f = 100 MHz)  
BC182  
BC183  
BC184  
—
—
—
100  
120  
140  
—
—
—
C
CE  
(I = 10 mA, V  
= 5.0 V, f = 100 MHz)  
BC182  
BC183  
BC184  
150  
150  
150  
200  
240  
280  
—
—
—
C
CE  
Common Base Output Capacitance  
(V = 10 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
—
—
5.0  
pF  
pF  
—
ob  
CB  
Common Base Input Capacitance  
(V = 0.5 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
C
—
8.0  
—
ib  
EB  
C
Small–Signal Current Gain  
h
fe  
(I = 2.0 mA, V  
C
= 5.0 V, f = 1.0 kHz)  
BC182  
BC183  
BC184  
BC182A  
BC182B  
125  
125  
240  
125  
240  
—
—
—
—
—
500  
900  
900  
260  
500  
CE  
Noise Figure  
NF  
dB  
(I = 0.2 mA, V  
C
= 5.0 V, R = 2.0 kΩ,  
S
CE  
f = 1.0 kHz)  
(I = 0.2 mA, V  
f = 1.0 kHz, f = 200 Hz)  
= 5.0 V, R = 2.0 kΩ,  
BC184  
BC182  
BC183  
BC184  
—
—
—
—
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
4.0  
10  
10  
C
CE  
S
4.0  
1. Pulse Test: Tp 300 s, Duty Cycle 2.0%.  
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234

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与BC183RLRM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC183RLRP MOTOROLA

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 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC183ZL1 ONSEMI

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 		100mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
BC183ZL1 MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
BC184 SEMTECH

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BC184 FAIRCHILD

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BC184 ONSEMI

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