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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.66 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 25 pF | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 3.7 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 850 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 250 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC141-25 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-39 |
|
| BC141-6 | STMICROELECTRONICS |
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1000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
|
| BC141-6 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTORS |
|
| BC141-6 | TI |
获取价格 |
BC141-6 |
|
| BC141-6 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-39 |
|
| BC141G | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin TO-39 Box |
|
| BC141LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| BC142 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
|
| BC-14210 | BUD |
获取价格 |
CHASSIS MOUNTING BRACKET |
|
| BC-14215 | BUD |
获取价格 |
CHASSIS MOUNTING BRACKET |
|
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