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BC142

更新时间: 2024-09-24 22:39:27
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管局域网
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1页 76K
描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC142 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-39
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.54
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHzBase Number Matches:1

BC142 数据手册

  

BC142 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N1574LEADFREE CENTRAL

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